宏捷科技股份有限公司創立於1998年四月，位於台灣台南科學工業園區。是全球少數專業六吋砷化鎵晶圓代工廠之一，其月產能為13,000片六吋晶圓，且位於同一現址的二期廠房已於2020年七月份完工，預計最大產能可擴充為每月35,000片六吋晶圓，為全球第二大砷化鎵晶圓代工廠。

宏捷科技股份有限公司係以製造如HBT (註1) / ED-pEHTM (註2) / ED-BiHEMT (註3) 為主之砷化鎵微波積體電路(GaAs MMIC)的專業晶圓代工廠。其高可靠度的HBT製程能力，可應用於手機如4G LTE / 5G Sub-6GHz，以及WiFi如WiFi5 (11.ac)、WiFi6 / WiFi6E (11.ax)之功率放大器(Power Amplifier) ; 同時，高效能的ED-pHEMT製程能力，以T-Gate技術實現開關(Switch)及低噪放(Low Noise Amplifier)設計，應用產品如衛星通訊、全球定位系統(GPS) 及WiFi；而單晶片高度整合設計的ED BiHEMT則亦可應用於智慧型手機及WiFi等產品。此外，在光通訊及3D感測領域中，宏捷科技在正面發光(Top Emitting)與背面發光(Bottom Emitting)的VCSEL (註4)技術皆有相當穩定且高良率的製程能力，並可整合如Microlens與Grating等技術。針對於高功率、高頻率的六吋氮化鎵 (GaN, Gallium Nitride)技術，亦在宏捷科技技術發展的藍圖當中，目前已完成製程開發，並與多個客戶進行工程討論中，預計將於2022年上半年開始量產。

砷化鎵製造技術有別於一般的半導體製造，它需要多年的實作經驗及充份瞭解GaAs材料之特性才能製造出優良品質與高良率的產品。本團隊成員來自各GaAs相關公司，對於GaAs製造技術、元件技術、線路設計、系統應用、整合以至於成品測驗、市場需求、行銷管道、售前售後服務均有相當豐富的歷練。這些傲人的技術及管理資源為公司成功的強力保證，其客戶群除了全球射頻積體電路設計公司(RFIC Design Houses)外，同時亦與全球整合元件製造(IDM)大廠有深入合作。

宏捷科技提供完整的製程設計套件(PDK, Process Design Kit)，並於2018起與Keysight合作，讓整套PDK系統更加完善以及介面人性化/直覺化。其可靠的功率放大器及光電電路設計製程，經證實其所製造電晶體之平均使用時間可超過百萬小時。我們確信能提供良好的製程控管效能及高良率之產量去符合客戶所需之效能及成本。此外，宏捷科技已通過ISO-9001、ISO-14001以及IATF16949之認證，對於製程品質之控管是我們最高的管理哲學，我們將持續致力於製程之改良及成本之降低，並不斷開發新製程技術以符合客戶需求，現已成為世界級之砷化鎵晶圓代工大廠。

註1. 砷化鎵異質介面雙極電晶體 (GaAs HBT, Heterojunction Bipolar Transistor)
註2.增強/耗盡型高速電子遷移率電晶體 (ED-pHEMT, Enhancement / Depletion-Mode Pseudomorphic High Electron-Mobility Transistor)
註3. 增強/耗盡型異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體 (ED-BiHEMT, Enhancement / Depletion-Mode Integration of Heterojunction Bipolar and High Electron-Mobility Transistors )
註4. 垂直共振腔面射雷射(VCSEL, Vertical Cavity Surface Emitting Laser)

經營理念
•專注於核心技術 –– HBT/pHEMT：
將所有的資源投注於GaAs HBT/pHEMT的開發，以提供客戶高品質合理價格的GaAs HBT/pHEMT晶片。鑒諸眾多成功公司，在成立初期唯有秉持〝FOCUS〝的精神，專注於核心技術，才能提升技術品質，給客戶最滿意的服務，公司才有競爭力。
•擴展新技術之開發：
公司已投入多項砷化鎵高端技術如 0.5um ED pHEMT、0.25um ED pHEMT、ED Bi-HEMT以及 Cu Pillar Bump 之開發與生產。
此有助於公司產品及客戶之多元化，進而擴展業務範圍。
•專業晶圓製造服務 - Pure-Play Foundry
業務範圍不涉及產品設計，專注於GaAs HBT/pHEMT晶圓製造，提供穩定可靠的6吋晶圓生產製造。達成良率高、品質穩定、快速交貨的服務。